据美国科技媒体《The Information》报道，中国已启动首批国产浸没式深紫外（DUV）光刻机的制造工作。这一技术突破有望降低中国对外国半导体制造设备的依赖，尤其是在西方持续收紧半导体技术出口限制的背景下。 报道称，首批设备预计将在今年年底前交付给中国主要芯片制造企业，包括中芯国际（Semiconductor Manufacturing International Corporation，SMIC）、**华虹半导体（Hua Hong Semiconductor）以及长鑫存储技术有限公司（ChangXin Memory Technologies，CXMT）**等。 这一进展未来可能为中国晶圆代工企业提供一种国产替代方案，以减少对荷兰半导体设备制造商ASML的依赖。ASML目前在全球光刻设备市场占据主导地位。 不过，《The Information》指出，这些国产设备目前在性能和可靠性方面仍落后于国际先进水平，在实现大规模工业化生产之前，还需要完成多项验证工作。因此，欧洲制造商目前仍保持技术领先优势。 据悉，初期国产DUV光刻机产量将保持有限，今年预计生产约5台，2027年预计达到约20台。 目前，浸没式DUV光刻系统是中国芯片制造商能够获得的最先进光刻设备之一。而更先进的极紫外（EUV）光刻机由于受到美国及其盟友出口管制措施的影响，中国企业仍无法获得。 光刻设备是半导体制造过程中的核心装备，用于在硅晶圆上刻蚀集成电路图案，是制造先进芯片的重要环节。 与此同时，中国仍在推进自主EUV光刻技术研发，目前相关技术仍处于原型阶段。中国希望通过持续投入关键技术领域，加强自身科技自主能力。 这一努力正值美国政府考虑进一步加强对中国半导体产业的限制之际，包括收紧光刻设备出口政策，以及限制向中国芯片制造商提供相关维护服务。 这一消息反映出中国正在加速布局关键技术领域。半导体产业已成为全球两大经济体——中美之间科技竞争的核心领域之一。

日本政府近期宣布，在人工智能（AI）持续发展的背景下，将本土生产的半导体销量定为新的发展目标，到2040年实现较2020年的销量增长八倍。 据日本政府数据显示，20世纪80年代，日本曾掌控全球约一半的半导体市场。然而，由于本土企业向数字经济的转型过慢，以及与美国的贸易摩擦，日本半导体产业逐渐落后于台湾及其他国家。目前，日本在全球半导体市场的份额已不足10%。 为了扭转局面，东京正大力投资新工厂。日本首相高市早苗主持的国家增长战略会议表示，日本计划到2030年实现本土半导体销售额达到1.5万亿日元（约815亿美元），并在2040年增至4万亿日元（约2170亿美元）。这一目标相比2020年的约5000亿日元，实现了八倍的增长。 随着半导体晶体管数量不断增加，其计算能力显著提升，推动了从智能手机到汽车等领域的技术进步，也加速了AI工具和数据存储的发展。日本政府预计，全球半导体市场到2035年将达到19万亿日元（约1.03万亿美元），并希望借此机遇提升本土产业竞争力。 新成立的日本半导体制造商Rapidus正在国内建设一座“2纳米”先进芯片工厂，预计将于2027年实现量产。该公司成立于2022年，由政府支持，索尼、丰田和IBM等企业参与，目标是重振日本在全球高端半导体领域的地位。 与此同时，全球最大半导体代工厂台湾的TSMC也宣布，将在日本建设的工厂生产“3纳米”先进芯片。 日本政府在路线图中指出，全球半导体市场不断扩大，但日本“尚未充分利用这一增长机会”。政府表示：“我们将确保在国内开发和生产尖端及新一代半导体，以应对AI时代的关键需求。