据美国科技媒体《The Information》报道，中国已启动首批国产浸没式深紫外（DUV）光刻机的制造工作。这一技术突破有望降低中国对外国半导体制造设备的依赖，尤其是在西方持续收紧半导体技术出口限制的背景下。 报道称，首批设备预计将在今年年底前交付给中国主要芯片制造企业，包括中芯国际（Semiconductor Manufacturing International Corporation，SMIC）、**华虹半导体（Hua Hong Semiconductor）以及长鑫存储技术有限公司（ChangXin Memory Technologies，CXMT）**等。 这一进展未来可能为中国晶圆代工企业提供一种国产替代方案，以减少对荷兰半导体设备制造商ASML的依赖。ASML目前在全球光刻设备市场占据主导地位。 不过，《The Information》指出，这些国产设备目前在性能和可靠性方面仍落后于国际先进水平，在实现大规模工业化生产之前，还需要完成多项验证工作。因此，欧洲制造商目前仍保持技术领先优势。 据悉，初期国产DUV光刻机产量将保持有限，今年预计生产约5台，2027年预计达到约20台。 目前，浸没式DUV光刻系统是中国芯片制造商能够获得的最先进光刻设备之一。而更先进的极紫外（EUV）光刻机由于受到美国及其盟友出口管制措施的影响，中国企业仍无法获得。 光刻设备是半导体制造过程中的核心装备，用于在硅晶圆上刻蚀集成电路图案，是制造先进芯片的重要环节。 与此同时，中国仍在推进自主EUV光刻技术研发，目前相关技术仍处于原型阶段。中国希望通过持续投入关键技术领域，加强自身科技自主能力。 这一努力正值美国政府考虑进一步加强对中国半导体产业的限制之际，包括收紧光刻设备出口政策，以及限制向中国芯片制造商提供相关维护服务。 这一消息反映出中国正在加速布局关键技术领域。半导体产业已成为全球两大经济体——中美之间科技竞争的核心领域之一。